Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI3447BDV-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6627131SI3447BDV-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3447BDV-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI3447BDV-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI3447BDV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-TSOP
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.1W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    14nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    12V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI3447BDV-T1-GE3” saistītie produkti.
SI3447CDV-T1-E3

SI3447CDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3446ADV-T1-GE3

SI3446ADV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3452A-B01-GM

SI3452A-B01-GM

Apraksts: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3452-B02-GMR

SI3452-B02-GMR

Apraksts: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3443DV

SI3443DV

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI3451DV-T1-E3

SI3451DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3443DVTR

SI3443DVTR

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI3445DV-T1-GE3

SI3445DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3447BDV-T1-E3

SI3447BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3445ADV-T1-GE3

SI3445ADV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3452-B02-GM

SI3452-B02-GM

Apraksts: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3447CDV-T1-GE3

SI3447CDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3451DV-T1-GE3

SI3451DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3452A-B01-IM

SI3452A-B01-IM

Apraksts: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3443DVTRPBF

SI3443DVTRPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI3452-B01-IM

SI3452-B01-IM

Apraksts: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3445DV-T1-E3

SI3445DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3452-B01-GM

SI3452-B01-GM

Apraksts: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3445ADV-T1-E3

SI3445ADV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3446ADV-T1-E3

SI3446ADV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.