SI3407DV-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$0.62

10+

$0.521

100+

$0.391

500+

$0.287

1000+

$0.222

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI3407DV-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI3407DV-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

6-TSOP
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

4.2W (Tc)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Citi vārdi

SI3407DV-T1-GE3CT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1670pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

63nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

P-Channel 20V 8A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Šis ir ar “SI3407DV-T1-GE3” saistītie produkti.

SI34062-A-GMR

Apraksts: HIGH-EFFICIENCY SWITCHING REGULA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3415-TP

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

SI3407DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI34061-A-GMR

Apraksts: HIGH-EFFICIENCY SWITCHING REGULA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3410DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI34062-A-GM

Apraksts: HIGH-EFFICIENCY SWITCHING REGULA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3424BDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI34061-A-GM

Apraksts: HIGH-EFFICIENCY SWITCHING REGULA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3406FBC3-KIT

Apraksts: EVAL KIT FOR SI3406 NONISO FLYBA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3420A-TP

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

SI3406FBC2-KIT

Apraksts: EVAL KIT FOR SI3406 NONISO FLYBA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3421DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3406-A-GMR

Apraksts: HIGH-EFFICIENCY SWITCHING REGULA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI34061ISOC4-KIT

Apraksts: EVAL KIT FOR SI34061 ISOLATED CL

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3417DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3407-TP

Apraksts: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

SI3420-TP

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

SI3410DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3415A-TP

Apraksts: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

SI3424BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI3407DV-T1-GE3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

SI34062-A-GMR

SI3415-TP

SI3407DV-T1-E3

SI34061-A-GMR

SI3410DV-T1-E3

SI34062-A-GM

SI3424BDV-T1-GE3

SI34061-A-GM

SI3406FBC3-KIT

SI3420A-TP

SI3406FBC2-KIT

SI3421DV-T1-GE3

SI3406-A-GMR

SI34061ISOC4-KIT

SI3417DV-T1-GE3

SI3407-TP

SI3420-TP

SI3410DV-T1-GE3

SI3415A-TP

SI3424BDV-T1-E3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda