Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI2399DS-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3246257

SI2399DS-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.196
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI2399DS-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI2399DS-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34 mOhm @ 5.1A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    SI2399DS-T1-GE3-ND
    SI2399DS-T1-GE3TR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    835pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    20nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI2399DS-T1-GE3” saistītie produkti.
SI2401FS08-EVB

SI2401FS08-EVB

Apraksts: BOARD EVAL SI2401 + SI3008

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2401FS10-EVB

SI2401FS10-EVB

Apraksts: BOARD EVAL SI2401 UART INTERFACE

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2400-BS

SI2400-BS

Apraksts: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2404-C-FS

SI2404-C-FS

Apraksts: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2401-FSR

SI2401-FSR

Apraksts: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2401-FS

SI2401-FS

Apraksts: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2400-FS

SI2400-FS

Apraksts: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2400URT-EVB

SI2400URT-EVB

Apraksts: BOARD EVAL FOR SI2400 ISOMODEM

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2400-KS

SI2400-KS

Apraksts: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2404-C-FSR

SI2404-C-FSR

Apraksts: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.