Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI2316DS-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4195995

SI2316DS-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.30

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI2316DS-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI2316DS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SOT-23-3 (TO-236)
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.4A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

700mW (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

215pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

7nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

N-Channel 30V 2.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

2.9A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI2316DS-T1-GE3” saistītie produkti.

SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2321-TP

SI2321-TP

Apraksts: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.