Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI2302DDS-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3559651

SI2302DDS-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$0.62

10+

$0.489

100+

$0.336

500+

$0.23

1000+

$0.173

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI2302DDS-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CHAN 20V SOT23
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI2302DDS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SOT-23-3 (TO-236)
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

710mW (Ta)
Iepakojums

Original-Reel®
Iepakojums / lieta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Citi vārdi

SI2302DDS-T1-GE3DKR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

27 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

N-Channel 20V 2.9A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

2.9A (Tj)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI2302DDS-T1-GE3” saistītie produkti.

SI2304-TP

SI2304-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2302A-TP

SI2302A-TP

Apraksts: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2303CDS-T1-GE3

SI2303CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2302ADS-T1-GE3

SI2302ADS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2302DS,215

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale

Noliktavā

SI2303BDS-T1

SI2303BDS-T1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2302ADS-T1-E3

SI2302ADS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2302ADS-T1

SI2302ADS-T1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2302-TP

SI2302-TP

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2303BDS-T1-GE3

SI2303BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2303CDS-T1-E3

SI2303CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2303-TP

SI2303-TP

Apraksts: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.