Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI1988DH-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4268727

SI1988DH-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI1988DH-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI1988DH-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SC-70-6 (SOT-363)
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    168 mOhm @ 1.4A, 4.5V
  • Jauda - maks
    1.25W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Citi vārdi
    SI1988DH-T1-GE3TR
    SI1988DHT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    110pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    4.1nC @ 8V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.3A
  • Bāzes daļas numurs
    SI1988

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI1988DH-T1-GE3” saistītie produkti.
SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1970DH-T1-E3

SI1970DH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1972DH-T1-E3

SI1972DH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1917EDH-T1-E3

SI1917EDH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1970DH-T1-GE3

SI1970DH-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1905BDH-T1-E3

SI1905BDH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1903DL-T1-GE3

SI1903DL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1905DL-T1-E3

SI1905DL-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1913DH-T1-E3

SI1913DH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1958DH-T1-E3

SI1958DH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1972DH-T1-GE3

SI1972DH-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1988DH-T1-E3

SI1988DH-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.