Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI1304BDL-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2885742

SI1304BDL-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1304BDL-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI1304BDL-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI1304BDL-T1-GE3.pdf
ECAD modelis
Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SC-70-3
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 900mA, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

340mW (Ta), 370mW (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

SC-70, SOT-323
Citi vārdi

SI1304BDL-T1-GE3TR
SI1304BDLT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

100pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

2.7nC @ 4.5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

N-Channel 30V 900mA (Tc) 340mW (Ta), 370mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

900mA (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI1304BDL-T1-GE3” saistītie produkti.

SI1303DL-T1-GE3

SI1303DL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1304BDL-T1-E3

SI1304BDL-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1307EDL-T1-GE3

SI1307EDL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1303EDL-T1-E3

SI1303EDL-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1300BDL-T1-GE3

SI1300BDL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1307EDL-T1-E3

SI1307EDL-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1315DL-T1-GE3

SI1315DL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1305DL-T1-GE3

SI1305DL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI117XE2-KIT

SI117XE2-KIT

Apraksts: THE SI117XE2-KIT EVALUATES THE S

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI1307DL-T1-GE3

SI1307DL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1300BDL-T1-E3

SI1300BDL-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1307DL-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1305DL-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1305EDL-T1-GE3

SI1305EDL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1302DL-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1303DL-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI117XG2-KIT

SI117XG2-KIT

Apraksts: THE SI117XG2-KIT EVALUATION OF S

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI1305EDL-T1-E3

SI1305EDL-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Jaunums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.