Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI1069X-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2322232SI1069X-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1069X-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI1069X-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI1069X-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SC-89-6
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    184 mOhm @ 940mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    236mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-563, SOT-666
  • Citi vārdi
    SI1069X-T1-GE3TR
    SI1069XT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    308pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    6.86nC @ 5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    -

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI1069X-T1-GE3” saistītie produkti.
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1065-A-GMR

SI1065-A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1064-A-GM

SI1064-A-GM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1065-A-GM

SI1065-A-GM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1064-A-GMR

SI1064-A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V SC89

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1063-A-GMR

SI1063-A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.