1200819

SI1046X-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI1046X-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI1046X-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SC-89-3
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 606mA, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

250mW (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

SC-89, SOT-490
Citi vārdi

SI1046X-T1-GE3TR
SI1046XT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

66pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

1.49nC @ 5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.8V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

N-Channel 20V 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

-

Šis ir ar “SI1046X-T1-GE3” saistītie produkti.

SI1039X-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1050X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1056X-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1054X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1037X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1056X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1051X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1051X-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1054X-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1050X-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1037X-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1046R-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1058X-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1046R-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1037-B-GM3

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI1040X-T1-GE3

Apraksts: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1058X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V SC89

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1037-B-GM3R

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI1039X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI1040X-T1-E3

Apraksts: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI1046X-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

SI1039X-T1-E3

SI1050X-T1-GE3

SI1056X-T1-E3

SI1054X-T1-GE3

SI1037X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

SI1037X-T1-E3

SI1046R-T1-E3

SI1058X-T1-E3

SI1046R-T1-GE3

SI1037-B-GM3

SI1040X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

SI1037-B-GM3R

SI1039X-T1-GE3

SI1040X-T1-E3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda