Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI1013CX-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5907559SI1013CX-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1013CX-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.64
10+
$0.458
100+
$0.27
500+
$0.153
1000+
$0.117
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI1013CX-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI1013CX-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    760 mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    190mW (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    SC-89, SOT-490
  • Citi vārdi
    SI1013CX-T1-GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    45pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    2.5nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 450mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    450mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI1013CX-T1-GE3” saistītie produkti.
SI1012R-T1-E3

SI1012R-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1012-TP

SI1012-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
SI1013X-T1-E3

SI1013X-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1013-A-GM

SI1013-A-GM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1014-A-GMR

SI1014-A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1014-A-GM

SI1014-A-GM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1013-C-GM2R

SI1013-C-GM2R

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1015-A-GM

SI1015-A-GM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1015-A-GMR

SI1015-A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1013R-T1-E3

SI1013R-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1013-A-GMR

SI1013-A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1014-C-GM2

SI1014-C-GM2

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1014-C-GM2R

SI1014-C-GM2R

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1013-C-GM2

SI1013-C-GM2

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.