S3BHE3/9AT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

S3BHE3/9AT
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

S3BHE3/9AT.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.15V @ 2.5A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

100V
Piegādātāja ierīču komplekts

DO-214AB (SMC)
Ātrums

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

2.5µs
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

DO-214AB, SMC
Darba temperatūra - savienojums

-55°C ~ 150°C
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

10µA @ 100V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

3A
Ietilpība @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz
Bāzes daļas numurs

S3B

Šis ir ar “S3BHE3/9AT” saistītie produkti.

S3BB R5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

S3BR4

Apraksts: BRIDGE RECT 2A 400V PCB

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

S3BHE3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

S3BB-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

S3BB-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

S3BBTR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A SMB

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

Noliktavā

RFQ

S3BHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

S3BR6

Apraksts: BRIDGE RECT 2A 600V PCB

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

S3BB M4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

S3BHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

S3BR25F

Apraksts: BRIDGE RECT 500MA 2.5KV PCB

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

S3BR2F

Apraksts: BRIDGE RECT 2A 200V PCB

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

S3BB

Apraksts: DIODE GP 100V 3A SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

S3BBHM4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

S3BR10

Apraksts: BRIDGE RECT 2A 1KV PCB

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

S3BB-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

S3BBHR5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

S3BR05

Apraksts: BRIDGE RECT 2A 50V PCB

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

S3BR20

Apraksts: BRIDGE RECT 500MA 2KV PCB

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

S3BHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

S3BHE3/9AT

Pieprasīt citātu

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

S3BB R5G

S3BR4

S3BHE3/57T

S3BB-TP

S3BB-13-F

S3BBTR

S3BHE3_A/H

S3BR6

S3BB M4G

S3BHR7G

S3BR25F

S3BR2F

S3BB

S3BBHM4G

S3BR10

S3BB-13

S3BBHR5G

S3BR05

S3BR20

S3BHE3_A/I

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda