Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > NSB8MTHE3_A/I
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2422417NSB8MTHE3_A/I attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

NSB8MTHE3_A/I

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
800+
$0.838
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    NSB8MTHE3_A/I
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    NSB8MTHE3_A/I.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.1V @ 8A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1000V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-263AB
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    8A
  • Ietilpība @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “NSB8MTHE3_A/I” saistītie produkti.
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NSB9703

NSB9703

Apraksts: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Ražotāji: Desco
Noliktavā
RFQ
NSB8KT-E3/45

NSB8KT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Apraksts: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.