Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > ES3DHE3_A/I
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
648458ES3DHE3_A/I attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

ES3DHE3_A/I

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3500+
$0.282
7000+
$0.262
10500+
$0.259
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ES3DHE3_A/I
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ES3DHE3_A/I.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    900mV @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AB (SMC)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    30ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AB, SMC
  • Citi vārdi
    ES3DHE3_A/I-ND
    ES3DHE3_A/IGITR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    53 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    ES3D

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ES3DHE3_A/I” saistītie produkti.
ES3DB R5G

ES3DB R5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DBHM4G

ES3DBHM4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DVHR7G

ES3DVHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DVHM6G

ES3DVHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DV M6G

ES3DV M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DHM6G

ES3DHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3F M6G

ES3F M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DB-13

ES3DB-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ES3DHE3/9AT

ES3DHE3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES3DHE3_A/H

ES3DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES3DBHR5G

ES3DBHR5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DV V7G

ES3DV V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DPX

ES3DPX

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A CFP5

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
ES3DV R7G

ES3DV R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DHR7G

ES3DHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DB M4G

ES3DB M4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DV V6G

ES3DV V6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3DHE3/57T

ES3DHE3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES3DB-13-F

ES3DB-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ES3DHE3J_A/I

ES3DHE3J_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.