Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > ES2DHE3_A/I
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1386840ES2DHE3_A/I attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

ES2DHE3_A/I

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3200+
$0.192
6400+
$0.18
9600+
$0.167
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ES2DHE3_A/I
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ES2DHE3_A/I.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    900mV @ 2A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AA (SMB)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    20ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AA, SMB
  • Citi vārdi
    ES2DHE3_A/I-ND
    ES2DHE3_A/IGITR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    53 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 200V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 50V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    2A
  • Ietilpība @ Vr, F
    18pF @ 4V, 1MHz

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ES2DHE3_A/I” saistītie produkti.
ES2DHE3J_A/H

ES2DHE3J_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES2DHE3/52T

ES2DHE3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES2DAHM2G

ES2DAHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES2DAHR3G

ES2DAHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES2DA-13-F

ES2DA-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ES2DV M4G

ES2DV M4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES2F R5G

ES2F R5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES2DHE3/5BT

ES2DHE3/5BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES2DAF

ES2DAF

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
ES2F-E3/52T

ES2F-E3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES2DHE3_A/H

ES2DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES2DHE3J/52T

ES2DHE3J/52T

Apraksts: DIODE ULT FAST 2A 200V DO-214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
ES2DTR

ES2DTR

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Noliktavā
RFQ
ES2DVHM4G

ES2DVHM4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES2DHR5G

ES2DHR5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES2DA-13

ES2DA-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ES2DV R5G

ES2DV R5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES2DHM4G

ES2DHM4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES2DVHR5G

ES2DVHR5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES2ETR

ES2ETR

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 2A SMA

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.