Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG23T-M3/TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1645165BYG23T-M3/TR attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG23T-M3/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1800+
$0.167
3600+
$0.154
5400+
$0.144
12600+
$0.135
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG23T-M3/TR
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BYG23T-M3/TR.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.9V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1300V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    75ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    BYG23TM3TR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    44 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 1300V 1A (DC) Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 1300V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A (DC)
  • Ietilpība @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    BYG23T

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG23T-M3/TR” saistītie produkti.
BYG24D-M3/TR3

BYG24D-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG23MHE3_A/I

BYG23MHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG24D-M3/TR

BYG24D-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG24DHE3_A/H

BYG24DHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG24DHE3/TR

BYG24DHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG23M-M3/TR

BYG23M-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG23MHE3/TR3

BYG23MHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG24D-E3/TR3

BYG24D-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG23MHE3/TR

BYG23MHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG23MHE3_A/H

BYG23MHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG23T-M3/TR3

BYG23T-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG24D-E3/TR

BYG24D-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG23MHM3/TR3

BYG23MHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG24DHE3/TR3

BYG24DHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG24DHM3/TR

BYG24DHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG23MHM3_A/H

BYG23MHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG24DHE3_A/I

BYG24DHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG23MHM3/TR

BYG23MHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG23MHM3_A/I

BYG23MHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG23M-M3/TR3

BYG23M-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.