Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG22DHE3/TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1390610BYG22DHE3/TR attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG22DHE3/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.65
10+
$0.553
25+
$0.516
100+
$0.413
250+
$0.384
500+
$0.325
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG22DHE3/TR
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.BYG22DHE3/TR.pdf
    2.BYG22DHE3/TR.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.1V @ 2A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    25ns
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    BYG22DHE3/GICT
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 200V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    2A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    BYG22D

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG22DHE3/TR” saistītie produkti.
BYG22D-M3/TR3

BYG22D-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22DHM3/TR3

BYG22DHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22D-E3/TR3

BYG22D-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG23M M2G

BYG23M M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG22D-M3/TR

BYG22D-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22BHM3/TR

BYG22BHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22BHE3_A/H

BYG22BHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22DHM3/TR

BYG22DHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG23M R3G

BYG23M R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG22DHE3/TR

BYG22DHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22DHM3_A/I

BYG22DHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22DHE3/TR3

BYG22DHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22DHE3_A/I

BYG22DHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22DHM3_A/H

BYG22DHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22D-E3/TR

BYG22D-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22BHM3_A/H

BYG22BHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22DHE3_A/H

BYG22DHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22BHM3/TR3

BYG22BHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22BHM3_A/I

BYG22BHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22BHE3_A/I

BYG22BHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.