Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG22B-E3/TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2203948BYG22B-E3/TR attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG22B-E3/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.50
10+
$0.424
100+
$0.317
500+
$0.249
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG22B-E3/TR
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.BYG22B-E3/TR.pdf
    2.BYG22B-E3/TR.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.1V @ 2A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    100V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    25ns
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    BYG22B-E3/GICT
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    44 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 100V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 100V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    2A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    BYG22B

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG22B-E3/TR” saistītie produkti.
BYG22B-E3/TR3

BYG22B-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22A-M3/TR

BYG22A-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22BHE3_A/H

BYG22BHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHM3/TR

BYG22AHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22AHM3_A/H

BYG22AHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3/TR

BYG22AHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22BHE3/TR3

BYG22BHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22BHM3_A/H

BYG22BHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22B-M3/TR3

BYG22B-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22BHE3_A/I

BYG22BHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3_A/H

BYG22AHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22A-M3/TR3

BYG22A-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22B-M3/TR

BYG22B-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHM3_A/I

BYG22AHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22BHM3/TR3

BYG22BHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3/TR3

BYG22AHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22BHE3/TR

BYG22BHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3_A/I

BYG22AHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22BHM3/TR

BYG22BHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22AHM3/TR3

BYG22AHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.