Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG21M-E3/TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1148538BYG21M-E3/TR attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG21M-E3/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1800+
$0.129
3600+
$0.118
5400+
$0.111
12600+
$0.104
45000+
$0.095
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG21M-E3/TR
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.BYG21M-E3/TR.pdf
    2.BYG21M-E3/TR.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.6V @ 1.5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1000V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    120ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    BYG21M-E3/GITR
    BYG21M-E3/TR-ND
    BYG21ME3TR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    44 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1.5A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    BYG21M

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG21M-E3/TR” saistītie produkti.
BYG21KHM3_A/H

BYG21KHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21M-E3/TR3

BYG21M-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21M-M3/TR3

BYG21M-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3/TR3

BYG21MHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21KHM3/TR

BYG21KHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM2G

BYG21MHM2G

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG21KHM3_A/I

BYG21KHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21M-M3/TR

BYG21M-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM3/TR

BYG21MHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21KHM3/TR3

BYG21KHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21KHE3_A/H

BYG21KHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21M R3G

BYG21M R3G

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG21M M2G

BYG21M M2G

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG21KHE3/TR

BYG21KHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3/TR

BYG21MHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21KHE3/TR3

BYG21KHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21KHE3_A/I

BYG21KHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21M/54

BYG21M/54

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.