BYG21K-M3/TR3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

15000+

$0.13

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

BYG21K-M3/TR3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

BYG21K-M3/TR3.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.6V @ 1.5A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

800V
Piegādātāja ierīču komplekts

DO-214AC (SMA)
Ātrums

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sērija

Automotive, AEC-Q101
Reverss atkopšanas laiks (trr)

120ns
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

DO-214AC, SMA
Darba temperatūra - savienojums

-55°C ~ 150°C
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

44 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Diode tips

Avalanche
Detalizēts apraksts

Diode Avalanche 800V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1µA @ 800V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

1.5A
Ietilpība @ Vr, F

-

Šis ir ar “BYG21K-M3/TR3” saistītie produkti.

BYG21KHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG21K-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG21KHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG20JHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG20JHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG21KHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG21KHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG21KHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG21K-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG20JHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG21M M2G

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

BYG20JHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG21KHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG21KHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG20JHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG21M R3G

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

BYG21K-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG21KHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG20JHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG20JHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

BYG21K-M3/TR3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

BYG21KHE3/TR3

BYG21K-E3/TR3

BYG21KHM3/TR

BYG20JHM3_A/I

BYG20JHE3_A/I

BYG21KHM3_A/I

BYG21KHE3_A/H

BYG21KHE3_A/I

BYG21K-E3/TR

BYG20JHE3_A/H

BYG21M M2G

BYG20JHM3/TR

BYG21KHM3_A/H

BYG21KHE3/TR

BYG20JHM3_A/H

BYG21M R3G

BYG21K-M3/TR

BYG21KHM3/TR3

BYG20JHE3/TR3

BYG20JHM3/TR3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda