Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > EPC2102ENG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1283245EPC2102ENG attēlsEPC

EPC2102ENG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10+
$10.815
30+
$10.004
100+
$9.193
250+
$8.382
500+
$7.841
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    EPC2102ENG
  • Ražotājs / zīmols
    EPC
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    EPC2102ENG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 7mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    Die
  • Sērija
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.4 mOhm @ 20A, 5V
  • Jauda - maks
    -
  • Iepakojums
    Tray
  • Iepakojums / lieta
    Die
  • Citi vārdi
    917-EPC2102ENG
    EPC2102ENGRH6
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    830pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    6.8nC @ 5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET iezīme
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    23A

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “EPC2102ENG” saistītie produkti.
EPC2100

EPC2100

Apraksts: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2105

EPC2105

Apraksts: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT

Apraksts: TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Apraksts: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Apraksts: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2103

EPC2103

Apraksts: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Apraksts: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2104

EPC2104

Apraksts: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2049ENGRT

EPC2049ENGRT

Apraksts: TRANS GAN 40V BUMPED DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2102

EPC2102

Apraksts: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Apraksts: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2050ENGRT

EPC2050ENGRT

Apraksts: TRANS GAN 350V BUMPED DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Apraksts: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Apraksts: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2100ENG

EPC2100ENG

Apraksts: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2101

EPC2101

Apraksts: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Apraksts: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Apraksts: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.