Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > ZXMC3A18DN8TA
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5513967ZXMC3A18DN8TA attēlsDiodes Incorporated

ZXMC3A18DN8TA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ZXMC3A18DN8TA
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ZXMC3A18DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Jauda - maks
    1.8W
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    ZXMC3A18DN8CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET tips
    N and P-Channel
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5.8A, 4.8A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ZXMC3A18DN8TA” saistītie produkti.
ZXM66P02N8TC

ZXM66P02N8TC

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC

Apraksts: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMD63C02XTC

ZXMD63C02XTC

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC4A16DN8TA

ZXMC4A16DN8TA

Apraksts: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC3AM832TA

ZXMC3AM832TA

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXM66N02N8TA

ZXM66N02N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA

Apraksts: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC3A17DN8TC

ZXMC3A17DN8TC

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC4559DN8TC

ZXMC4559DN8TC

Apraksts: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXM66P02N8TA

ZXM66P02N8TA

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC4559DN8TA

ZXMC4559DN8TA

Apraksts: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC4A16DN8TC

ZXMC4A16DN8TC

Apraksts: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXM66P03N8TA

ZXM66P03N8TA

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXM66N03N8TA

ZXM66N03N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMD63C02XTA

ZXMD63C02XTA

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.