Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMTH6005LPSQ-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5650807DMTH6005LPSQ-13 attēlsDiodes Incorporated

DMTH6005LPSQ-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.89
10+
$1.674
100+
$1.323
500+
$1.026
1000+
$0.81
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMTH6005LPSQ-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMTH6005LPSQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerDI5060-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.2W (Ta), 150W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerTDFN
  • Citi vārdi
    DMTH6005LPSQ-13DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2962pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    47.1nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 20.6A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    20.6A (Ta), 100A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMTH6005LPSQ-13” saistītie produkti.
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Apraksts: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Apraksts: MOSFET 60V 90A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.