Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMT6017LSS-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2937740DMT6017LSS-13 attēlsDiodes Incorporated

DMT6017LSS-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.267
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMT6017LSS-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMT6017LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.5W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    DMT6017LSS-13DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    864pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    9.2A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMT6017LSS-13” saistītie produkti.
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Apraksts: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Apraksts: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Apraksts: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Apraksts: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.