Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > DMT3020LFDB-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
358894DMT3020LFDB-7 attēlsDiodes Incorporated

DMT3020LFDB-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.77
10+
$0.651
100+
$0.488
500+
$0.358
1000+
$0.277
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMT3020LFDB-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMT3020LFDB-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 9A, 10V
  • Jauda - maks
    700mW
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    6-UDFN Exposed Pad
  • Citi vārdi
    DMT3020LFDB-7DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    393pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.7A 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7.7A

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMT3020LFDB-7” saistītie produkti.
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW-7

Apraksts: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Apraksts: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

Ražotāji: Murata Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.