Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMT10H015LCG-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5330491

DMT10H015LCG-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2000+
$0.435
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMT10H015LCG-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMT10H015LCG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    V-DFN3333-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-VDFN Exposed Pad
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 9.4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Ta), 34A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMT10H015LCG-7” saistītie produkti.
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V SO-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Apraksts: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Apraksts: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT-EXTPS

DMT-EXTPS

Apraksts: DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER

Ražotāji: Amprobe
Noliktavā
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT-8-12

DMT-8-12

Apraksts: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 10A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Apraksts: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Apraksts: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Apraksts: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

Apraksts: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Apraksts: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT-8-15

DMT-8-15

Apraksts: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Apraksts: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 10A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Apraksts: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.