Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMP10H4D2S-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4322822DMP10H4D2S-13 attēlsDiodes Incorporated

DMP10H4D2S-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10000+
$0.092
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMP10H4D2S-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMP10H4D2S-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 Ohm @ 500mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    380mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    DMP10H4D2S-13DI
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    12 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    87pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    1.8nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 100V 270mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    270mA (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMP10H4D2S-13” saistītie produkti.
DMP1046UFDB-7

DMP1046UFDB-7

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1096UCB4-7

DMP1096UCB4-7

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13

Apraksts: MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1080UCB4-7

DMP1080UCB4-7

Apraksts: MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7

Apraksts: MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP2004DMK-7

DMP2004DMK-7

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1555UFA-7B

DMP1555UFA-7B

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1200UFR4-7

DMP1200UFR4-7

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP2004DWK-7

DMP2004DWK-7

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1081UCB4-7

DMP1081UCB4-7

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1055USW-13

DMP1055USW-13

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1055USW-7

DMP1055USW-7

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1245UFCL-7

DMP1245UFCL-7

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP2003UPS-13

DMP2003UPS-13

Apraksts: MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 9A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP1100UCB4-7

DMP1100UCB4-7

Apraksts: MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMP2004K-7

DMP2004K-7

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.