Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMNH6008SCTQ
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5434465

DMNH6008SCTQ

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.14
50+
$1.725
100+
$1.553
500+
$1.208
1000+
$1.001
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMNH6008SCTQ
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMNH6008SCTQ.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    210W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Citi vārdi
    DMNH6008SCTQ-ND
    DMNH6008SCTQDI
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2596pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    130A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMNH6008SCTQ” saistītie produkti.
DMNH6021SPD-13

DMNH6021SPD-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4015SSDQ-13

DMNH4015SSDQ-13

Apraksts: MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6012LK3Q-13

DMNH6012LK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 80A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6008SCT

DMNH6008SCT

Apraksts: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6021SK3-13

DMNH6021SK3-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6021SPDQ-13

DMNH6021SPDQ-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6012SPS-13

DMNH6012SPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4026SSD-13

DMNH4026SSD-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4015SSD-13

DMNH4015SSD-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4026SSDQ-13

DMNH4026SSDQ-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4011SPSQ-13

DMNH4011SPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6012LK3-13

DMNH6012LK3-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 60A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4011SPS-13

DMNH4011SPS-13

Apraksts: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6012SPSQ-13

DMNH6012SPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 50A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6008SPS-13

DMNH6008SPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH6008SPSQ-13

DMNH6008SPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.