Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN6075S-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
155412DMN6075S-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN6075S-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10000+
$0.073
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN6075S-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN6075S-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    800mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    DMN6075S-13DI
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    606pF @ 20V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    12.3nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN6075S-13” saistītie produkti.
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6068LK3Q-13

DMN6068LK3Q-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6069SE-13

DMN6069SE-13

Apraksts: MOSFETN-CH 60VSOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6068SE-13

DMN6068SE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.