Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN6013LFG-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
977704DMN6013LFG-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN6013LFG-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.352
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN6013LFG-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN6013LFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerDI3333-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerWDFN
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2577pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    55.4nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    10.3A (Ta), 45A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN6013LFG-13” saistītie produkti.
DMN5L06VAK-7

DMN5L06VAK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN601DWKQ-7

DMN601DWKQ-7

Apraksts: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN5L06TK-7

DMN5L06TK-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6013LFGQ-7

DMN6013LFGQ-7

Apraksts: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN5L06VA-7

DMN5L06VA-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN601DMK-7

DMN601DMK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN5L06VKQ-7

DMN5L06VKQ-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN5L06VK-7

DMN5L06VK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN5L06W-7

DMN5L06W-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN5L06WK-7

DMN5L06WK-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN5L06T-7

DMN5L06T-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6017SK3-13

DMN6017SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN6013LFG-7

DMN6013LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN601K-7

DMN601K-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN601VK-7

DMN601VK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN601TK-7

DMN601TK-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN5L06V-7

DMN5L06V-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.