Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN4800LSSQ-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4739355DMN4800LSSQ-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN4800LSSQ-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.205
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN4800LSSQ-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN4800LSSQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 9A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.46W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    DMN4800LSSQ-13DI
    DMN4800LSSQ-13DI-ND
    DMN4800LSSQ-13DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    28 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    798pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8.7nC @ 5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 8.6A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    8.6A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN4800LSSQ-13” saistītie produkti.
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Apraksts: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 50V SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.