Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN3025LFDF-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1627149DMN3025LFDF-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN3025LFDF-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10000+
$0.138
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN3025LFDF-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN3025LFDF-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    U-DFN2020-6 (Type F)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20.5 mOhm @ 7A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.1W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-UDFN Exposed Pad
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    641pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 9.9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    9.9A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN3025LFDF-13” saistītie produkti.
DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Apraksts: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Apraksts: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Apraksts: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.