Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN3016LSS-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
416407DMN3016LSS-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN3016LSS-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.64
10+
$0.535
100+
$0.402
500+
$0.294
1000+
$0.228
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN3016LSS-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN3016LSS-13.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 12A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.5W (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    DMN3016LSS-13DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 10.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    10.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN3016LSS-13” saistītie produkti.
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

Apraksts: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Apraksts: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.