Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN2300UFB4-7B
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
298688DMN2300UFB4-7B attēlsDiodes Incorporated

DMN2300UFB4-7B

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10000+
$0.069
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN2300UFB4-7B
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN2300UFB4-7B.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    X2-DFN1006-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    175 mOhm @ 300mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    500mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    3-XFDFN
  • Citi vārdi
    DMN2300UFB4-7BDITR
    DMN2300UFB47B
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    26 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    64.3pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    1.6nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN2300UFB4-7B” saistītie produkti.
DMN2170U-7

DMN2170U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2215UDM-7

DMN2215UDM-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2300U-7

DMN2300U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2230U-7

DMN2230U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.