Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN15H310SE-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6963644DMN15H310SE-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN15H310SE-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.37
10+
$1.212
100+
$0.958
500+
$0.743
1000+
$0.586
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN15H310SE-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 150V 2A SOT223
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMN15H310SE-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-223
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    310 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.9W (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-261-4, TO-261AA
  • Citi vārdi
    DMN15H310SE-13DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    405pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8.7nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    150V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 150V 2A (Ta), 7.1A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta), 7.1A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN15H310SE-13” saistītie produkti.
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Apraksts: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Apraksts: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Apraksts: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Apraksts: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Apraksts: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Apraksts: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Apraksts: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.