Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMG7401SFGQ-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
604750DMG7401SFGQ-7 attēlsDiodes Incorporated

DMG7401SFGQ-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.78
10+
$0.682
100+
$0.526
500+
$0.39
1000+
$0.312
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMG7401SFGQ-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMG7401SFGQ-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerDI3333-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 12A, 20V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    940mW (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerWDFN
  • Citi vārdi
    DMG7401SFGQ-7DIDKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2987pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 20V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 9.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    9.8A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMG7401SFGQ-7” saistītie produkti.
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6968U-7

DMG6968U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.