Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > DMG6601LVT-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1709037DMG6601LVT-7 attēlsDiodes Incorporated

DMG6601LVT-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.093
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMG6601LVT-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMG6601LVT-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TSOT-26
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 3.4A, 10V
  • Jauda - maks
    850mW
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Citi vārdi
    DMG6601LVT-7DITR
    DMG6601LVT7
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    422pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    12.3nC @ 10V
  • FET tips
    N and P-Channel
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    3.8A, 2.5A
  • Bāzes daļas numurs
    DMG6601

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMG6601LVT-7” saistītie produkti.
DMG564060R

DMG564060R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG564H30R

DMG564H30R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG564H20R

DMG564H20R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG564050R

DMG564050R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6968U-7

DMG6968U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.