Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - bipolāri (BJT) - vieni > APT13005DT-G1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3735551

APT13005DT-G1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.97
10+
$0.849
100+
$0.651
500+
$0.515
1000+
$0.412
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT13005DT-G1
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TRANS NPN 450V 4A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    APT13005DT-G1.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    450V
  • Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic
    900mV @ 1A, 4A
  • Tranzistora tips
    NPN
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    75W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Citi vārdi
    APT13005DT-G1-ND
    APT13005DT-G1DI
  • Darbības temperatūra
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Frekvence - pāreja
    4MHz
  • Detalizēts apraksts
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 4A 4MHz 75W Through Hole TO-220AB
  • DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    8 @ 2A, 5V
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    -
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    4A

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT13005DT-G1” saistītie produkti.
APT130SM70J

APT130SM70J

Apraksts: MOSFET N-CH 700V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT13003EZTR-G1

APT13003EZTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 465V 1.5A TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13003SU-G1

APT13003SU-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 1.3A TO126

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13005DI-G1

APT13005DI-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 4A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13005SU-G1

APT13005SU-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 3.2A TO126

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13003DZTR-G1

APT13003DZTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 1.5A TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13005SI-G1

APT13005SI-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 3.2A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13003HZTR-G1

APT13003HZTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 465V 1.5A TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13F120B

APT13F120B

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT13005STF-G1

APT13005STF-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 3.2A TO220

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13003LZTR-G1

APT13003LZTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13003EU-G1

APT13003EU-G1

Apraksts: TRANS NPN 465V 1.5A TO126

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13003SZTR-G1

APT13003SZTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 1.3A TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13003NZTR-G1

APT13003NZTR-G1

Apraksts: IC POWER TRANSISTOR HV TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13003HU-G1

APT13003HU-G1

Apraksts: TRANS NPN 465V 1.5A TO126

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT130SM70B

APT130SM70B

Apraksts: MOSFET N-CH 700V TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT13005T-G1

APT13005T-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13005DTF-G1

APT13005DTF-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 4A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT13F120S

APT13F120S

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.