Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N4006G-T
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
35431671N4006G-T attēlsDiodes Incorporated

1N4006G-T

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
5000+
$0.061
10000+
$0.055
25000+
$0.051
50000+
$0.045
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N4006G-T
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    1N4006G-T.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    800V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-41
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    2µs
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Citi vārdi
    1N4006G
    1N4006GDITR
    1N4006GT
    1N4006GTR
    1N4006GTR-ND
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 800V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    1N4006

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N4006G-T” saistītie produkti.
1N4006GP-M3/73

1N4006GP-M3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4006G

1N4006G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Noliktavā
RFQ
1N4006G R1G

1N4006G R1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4006G BK

1N4006G BK

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE DO41

Ražotāji: Central Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4006G A0G

1N4006G A0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4006GP-E3/73

1N4006GP-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4006FF

1N4006FF

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4006FFG

1N4006FFG

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4006GP

1N4006GP

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4006GP-E3/54

1N4006GP-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4006GP-M3/54

1N4006GP-M3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
1N4006G

1N4006G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4006E-E3/73

1N4006E-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4006G R0G

1N4006G R0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.