Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N4448 TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
24162951N4448 TR attēlsCentral Semiconductor Corp

1N4448 TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N4448 TR
  • Ražotājs / zīmols
    Central Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1N4448 TR.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    150mA
  • Spriegums - sadalījums
    DO-35
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Pretestība @ Ja F,
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Polarizācija
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Darba temperatūra - savienojums
    4ns
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    1N4448 TR
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 100V 150mA Through Hole DO-35
  • Diode konfigurācija
    25nA @ 20V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    720mV @ 5mA
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    100V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N4448 TR” saistītie produkti.
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448

1N4448

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N4448,143

1N4448,143

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
1N4448 BK

1N4448 BK

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Ražotāji: Central Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4448,113

1N4448,113

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
1N4446_T50R

1N4446_T50R

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4446TR

1N4446TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448-A

1N4448-A

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4447

1N4447

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N4448,133

1N4448,133

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
1N4447

1N4447

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448-TP

1N4448-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
1N4448 A0G

1N4448 A0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4448

1N4448

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4447TR

1N4447TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4446 TR

1N4446 TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Ražotāji: Central Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.