Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Audio produkti > Runātāji > GA0381M
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2567025GA0381M attēlsCUI, Inc.

GA0381M

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$2.678
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GA0381M
  • Ražotājs / zīmols
    CUI Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    SPEAKER 8OHM 200MW TOP PORT 79DB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GA0381M.pdf
  • ECAD modelis
  • Tips
    General Purpose
  • Izbeigšana
    Solder Eyelet(s)
  • Tehnoloģija
    Magnetic
  • Izmērs / Izmēri
    1.496" Dia (38.00mm)
  • Forma
    Round
  • Sērija
    GA
  • Vērtējumi
    -
  • Jauda - nominālā
    200mW
  • Jauda - maks
    400mW
  • Ostas atrašanās vieta
    Top
  • Iepakojums
    Bulk
  • Citi vārdi
    102-1183
  • Materiāls - magnēts
    Alnico (AlNiCo)
  • Materiāls - konuss
    Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ingress Protection
    -
  • Pretestība
    8 Ohms
  • Augstums - sēdvietas (maksimums)
    0.669" (17.00mm)
  • Frekvences diapazons
    800Hz ~ 9kHz
  • Frekvence - pašrezolūcija
    800Hz
  • Efektivitāte - dBA
    79.00
  • Efektivitāte - tips
    Sound Pressure Level (SPL)
  • Efektivitāte - testēšana
    200mW/500mm
  • Detalizēts apraksts
    8 Ohms General Purpose Speaker 200mW 800Hz ~ 9kHz Top Round 79dB
  • California Prop 65
    Warning Information WARNING: Cancer and Reproductive Harm - www.P65warnings.ca.gov.

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GA0381M” saistītie produkti.
GA0402A100KXAAC31G

GA0402A100KXAAC31G

Apraksts: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA03IDDJT30-FR4

GA03IDDJT30-FR4

Apraksts: BOARD GATE DRIVER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
GA0402A100JXAAC31G

GA0402A100JXAAC31G

Apraksts: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100JXBAP31G

GA0402A100JXBAP31G

Apraksts: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA01PNS150-220

GA01PNS150-220

Apraksts: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
GA0402A100JXXAP31G

GA0402A100JXXAP31G

Apraksts: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100FXXAP31G

GA0402A100FXXAP31G

Apraksts: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

Apraksts: DIODE SILICON CARBIDE 8KV

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
GA0402A100GXBAC31G

GA0402A100GXBAC31G

Apraksts: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100GXBAP31G

GA0402A100GXBAP31G

Apraksts: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100JXAAP31G

GA0402A100JXAAP31G

Apraksts: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100GXAAP31G

GA0402A100GXAAP31G

Apraksts: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100JXBAC31G

GA0402A100JXBAC31G

Apraksts: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100GXAAC31G

GA0402A100GXAAC31G

Apraksts: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100FXAAP31G

GA0402A100FXAAP31G

Apraksts: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100GXXAC31G

GA0402A100GXXAC31G

Apraksts: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA03JT12-247

GA03JT12-247

Apraksts: TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
GA0402A100FXBAP31G

GA0402A100FXBAP31G

Apraksts: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100JXXAC31G

GA0402A100JXXAC31G

Apraksts: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GA0402A100GXXAP31G

GA0402A100GXXAP31G

Apraksts: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.