Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - RF > NE3516S02-T1C-A
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4134662NE3516S02-T1C-A attēlsCEL (California Eastern Laboratories)

NE3516S02-T1C-A

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    NE3516S02-T1C-A
  • Ražotājs / zīmols
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    NE3516S02-T1C-A.pdf
  • Spriegums - pārbaude
    2V
  • Spriegums - nominālā
    4V
  • Tranzistora tips
    N-Channel GaAs HJ-FET
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    S02
  • Sērija
    -
  • Jauda - izlaide
    165mW
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    4-SMD, Flat Leads
  • Trokšņa attēls
    0.35dB
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Iegūt
    14dB
  • Biežums
    12GHz
  • Detalizēts apraksts
    RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
  • Pašreizējais vērtējums
    60mA
  • Pašreizējais tests
    10mA

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “NE3516S02-T1C-A” saistītie produkti.
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Apraksts: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3X2WH6

NE3X2WH6

Apraksts: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Apraksts: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Apraksts: HJ-FET NCH 10DB S02

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Apraksts: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Apraksts: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Apraksts: FET RF 4V 20GHZ S03

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3X1WH6-A

NE3X1WH6-A

Apraksts: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Apraksts: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Apraksts: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Apraksts: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Apraksts: FET RF 4V 20GHZ S03

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3X1WH6

NE3X1WH6

Apraksts: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Apraksts: FET RF 4V 20GHZ S03

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Apraksts: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Apraksts: HJ-FET NCH 10DB S02

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Apraksts: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
NE3X3WH6-A

NE3X3WH6-A

Apraksts: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
NE3X3WH6

NE3X3WH6

Apraksts: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
NE3521M04-A

NE3521M04-A

Apraksts: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.