Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > AOV11S60
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4239501AOV11S60 attēlsAlpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOV11S60

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3500+
$1.247
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    AOV11S60
  • Ražotājs / zīmols
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.AOV11S60.pdf
    2.AOV11S60.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    4-DFN-EP (8x8)
  • Sērija
    aMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    8.3W (Ta), 156W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    4-PowerTSFN
  • Citi vārdi
    785-1683-2
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    545pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    650mA (Ta), 8A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “AOV11S60” saistītie produkti.
TPN13008NH,L1Q

TPN13008NH,L1Q

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
NTMFS4931NT1G

NTMFS4931NT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXFH150N15P

IXFH150N15P

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 150A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
EPC2019ENG

EPC2019ENG

Apraksts: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
SUP50N10-21P-GE3

SUP50N10-21P-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AOV15S60

AOV15S60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
IPC90R1K2C3X1SA1

IPC90R1K2C3X1SA1

Apraksts: MOSFET N-CH BARE DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
CSD17313Q2T

CSD17313Q2T

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5A

Ražotāji: Luminary Micro / Texas Instruments
Noliktavā
RFQ
EPC2015CENGR

EPC2015CENGR

Apraksts: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
2SK2989,F(J

2SK2989,F(J

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DMP2021UTSQ-13

DMP2021UTSQ-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
HTNFET-TC

HTNFET-TC

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 4-PIN

Ražotāji: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Noliktavā
RFQ
STL4N10F7

STL4N10F7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDD6685

FDD6685

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 11A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXTK140N20P

IXTK140N20P

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 140A TO-264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
AOV20S60

AOV20S60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
AOD4144_002

AOD4144_002

Apraksts: MOSFET N-CH TO252

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.