Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > AS4C8M32SA-7BCN
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4864827AS4C8M32SA-7BCN attēlsAlliance Memory, Inc.

AS4C8M32SA-7BCN

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$7.22
10+
$6.642
25+
$6.504
50+
$6.481
190+
$5.814
380+
$5.638
570+
$5.362
1140+
$5.174
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    AS4C8M32SA-7BCN
  • Ražotājs / zīmols
    Alliance Memory, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    AS4C8M32SA-7BCN.pdf
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    2ns
  • Spriegums - piegāde
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    90-TFBGA (8x13)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tray
  • Iepakojums / lieta
    90-TFBGA
  • Citi vārdi
    1450-1422
    AS4C8M32SA-7BCN-ND
  • Darbības temperatūra
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    256Mb (8M x 32)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Pulksteņa biežums
    143MHz
  • Piekļuves laiks
    5.4ns

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “AS4C8M32SA-7BCN” saistītie produkti.
AS4PGHM3/86A

AS4PGHM3/86A

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AS4PG-M3/86A

AS4PG-M3/86A

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4PG-M3/87A

AS4PG-M3/87A

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.