Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētas shēmas (IC) > Atmiņa > AS4C8M16SA-7TCN
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2435434AS4C8M16SA-7TCN attēlsAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16SA-7TCN

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.32
10+
$2.089
25+
$2.056
50+
$2.051
108+
$1.832
324+
$1.773
540+
$1.766
1080+
$1.645
5076+
$1.488
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    AS4C8M16SA-7TCN
  • Ražotājs / zīmols
    Alliance Memory, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    AS4C8M16SA-7TCN.pdf
  • ECAD modelis
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    14ns
  • Spriegums - piegāde
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    54-TSOP II
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tray
  • Iepakojums / lieta
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Citi vārdi
    1450-1269
  • Darbības temperatūra
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    128Mb (8M x 16)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Pulksteņa biežums
    143MHz
  • Piekļuves laiks
    5.4ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “AS4C8M16SA-7TCN” saistītie produkti.
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-6TCNTR

AS4C8M16SA-6TCNTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-6TAN

AS4C8M16SA-6TAN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-6BIN

AS4C8M16SA-6BIN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-6TANTR

AS4C8M16SA-6TANTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-7BCNTR

AS4C8M16SA-7BCNTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-6BINTR

AS4C8M16SA-6BINTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.