Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > AS4C8M16D1-5BIN
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3388157AS4C8M16D1-5BIN attēlsAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16D1-5BIN

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
240+
$2.443
480+
$2.364
720+
$2.355
1200+
$2.193
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    AS4C8M16D1-5BIN
  • Ražotājs / zīmols
    Alliance Memory, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    AS4C8M16D1-5BIN.pdf
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    15ns
  • Spriegums - piegāde
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM - DDR
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    60-TFBGA (8x13)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tray
  • Iepakojums / lieta
    60-TFBGA
  • Citi vārdi
    1450-1322
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    128Mb (8M x 16)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
  • Pulksteņa biežums
    200MHz
  • Piekļuves laiks
    700ps

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “AS4C8M16D1-5BIN” saistītie produkti.
AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M8D3L-12BCN

AS4C64M8D3L-12BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M8D3L-12BCNTR

AS4C64M8D3L-12BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M8SA-7TCN

AS4C64M8SA-7TCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M8D3-12BINTR

AS4C64M8D3-12BINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1A-5TCNTR

AS4C8M16D1A-5TCNTR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M8D3L-12BIN

AS4C64M8D3L-12BIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M8D3-12BIN

AS4C64M8D3-12BIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.