Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > AS4C64M16D1-6TCN
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3199212AS4C64M16D1-6TCN attēlsAlliance Memory, Inc.

AS4C64M16D1-6TCN

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$23.75
10+
$22.114
25+
$21.871
50+
$21.332
108+
$18.728
324+
$18.093
540+
$17.608
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    AS4C64M16D1-6TCN
  • Ražotājs / zīmols
    Alliance Memory, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    AS4C64M16D1-6TCN.pdf
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    15ns
  • Spriegums - piegāde
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM - DDR
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    66-TSOP II
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Citi vārdi
    1450-1332
  • Darbības temperatūra
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    1Gb (64M x 16)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Pulksteņa biežums
    166MHz
  • Piekļuves laiks
    700ps

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “AS4C64M16D1-6TCN” saistītie produkti.
AS4C512M8D3LA-12BCNTR

AS4C512M8D3LA-12BCNTR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BANTR

AS4C512M8D3LB-12BANTR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D2-25BAN

AS4C64M16D2-25BAN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D1A-6TIN

AS4C64M16D1A-6TIN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BAN

AS4C512M8D3LB-12BAN

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C512M8D3LA-12BINTR

AS4C512M8D3LA-12BINTR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D1A-6TINTR

AS4C64M16D1A-6TINTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D1A-6TCN

AS4C64M16D1A-6TCN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D1-6TINTR

AS4C64M16D1-6TINTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D1-6TIN

AS4C64M16D1-6TIN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D2-25BCN

AS4C64M16D2-25BCN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BINTR

AS4C512M8D3LB-12BINTR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D2-25BANTR

AS4C64M16D2-25BANTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BIN

AS4C512M8D3LB-12BIN

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C512M8D3LA-12BIN

AS4C512M8D3LA-12BIN

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D1-6TCNTR

AS4C64M16D1-6TCNTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BCNTR

AS4C512M8D3LB-12BCNTR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BCN

AS4C512M8D3LB-12BCN

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C512M8D3LA-12BCN

AS4C512M8D3LA-12BCN

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C64M16D1A-6TCNTR

AS4C64M16D1A-6TCNTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.