Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > AS4C32M16MD1-5BINTR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6821768

AS4C32M16MD1-5BINTR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    AS4C32M16MD1-5BINTR
  • Ražotājs / zīmols
    Alliance Memory, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    15ns
  • Spriegums - piegāde
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    60-FBGA (8x9)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    60-TFBGA
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 85°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    512Mb (32M x 16)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x9)
  • Pulksteņa biežums
    200MHz
  • Piekļuves laiks
    700ps

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “AS4C32M16MD1-5BINTR” saistītie produkti.
AS4C32M16SA-7BCNTR

AS4C32M16SA-7BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MD1-5BIN

AS4C32M16MD1-5BIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MD1-5BCN

AS4C32M16MD1-5BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D3-12BINTR

AS4C32M16D3-12BINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MS-7BCNTR

AS4C32M16MS-7BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MD1A-5BCN

AS4C32M16MD1A-5BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MSA-6BINTR

AS4C32M16MSA-6BINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MS-7BCN

AS4C32M16MS-7BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D3-12BIN

AS4C32M16D3-12BIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MD1-6BCNTR

AS4C32M16MD1-6BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D3L-12BINTR

AS4C32M16D3L-12BINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MD1-6BCN

AS4C32M16MD1-6BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MSA-6BIN

AS4C32M16MSA-6BIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16SA-7BCN

AS4C32M16SA-7BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D3L-12BCNTR

AS4C32M16D3L-12BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D3L-12BCN

AS4C32M16D3L-12BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MD1-5BCNTR

AS4C32M16MD1-5BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16MD1A-5BCNTR

AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D3-12BCNTR

AS4C32M16D3-12BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D3L-12BIN

AS4C32M16D3L-12BIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.