Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > AS4C32M16D1-5BINTR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2666672AS4C32M16D1-5BINTR attēlsAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16D1-5BINTR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$3.735
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    AS4C32M16D1-5BINTR
  • Ražotājs / zīmols
    Alliance Memory, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    AS4C32M16D1-5BINTR.pdf
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    15ns
  • Spriegums - piegāde
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM - DDR
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    60-TFBGA (8x13)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    60-TFBGA
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    512Mb (32M x 16)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
  • Pulksteņa biežums
    200MHz
  • Piekļuves laiks
    700ps

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “AS4C32M16D1-5BINTR” saistītie produkti.
AS4C32M16D1-5BCN

AS4C32M16D1-5BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C2M43D1A-5BIN

AS4C2M43D1A-5BIN

Apraksts: DDR SDRAM

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1A-5TAN

AS4C32M16D1A-5TAN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1A-5TCNTR

AS4C32M16D1A-5TCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1A-5TANTR

AS4C32M16D1A-5TANTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C2M43D1A-5BINTR

AS4C2M43D1A-5BINTR

Apraksts: DDR SDRAM

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C2M32SA-6TIN

AS4C2M32SA-6TIN

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1A-5TIN

AS4C32M16D1A-5TIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1A-5TINTR

AS4C32M16D1A-5TINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C2M32SA-6TINTR

AS4C2M32SA-6TINTR

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C2M32SA-7TCNTR

AS4C2M32SA-7TCNTR

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1-5TINTR

AS4C32M16D1-5TINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1-5BCNTR

AS4C32M16D1-5BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C2M32SA-7TCN

AS4C2M32SA-7TCN

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1A-5TCN

AS4C32M16D1A-5TCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1-5BIN

AS4C32M16D1-5BIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1-5TCNTR

AS4C32M16D1-5TCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1-5TCN

AS4C32M16D1-5TCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C32M16D1-5TIN

AS4C32M16D1-5TIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C2M32SA-6TCNTR

AS4C2M32SA-6TCNTR

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.