Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > AS4C16M32MD1-5BIN
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1215506AS4C16M32MD1-5BIN attēlsAlliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BIN

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
160+
$4.095
320+
$4.079
640+
$3.825
1120+
$3.662
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    AS4C16M32MD1-5BIN
  • Ražotājs / zīmols
    Alliance Memory, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    AS4C16M32MD1-5BIN.pdf
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    15ns
  • Spriegums - piegāde
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    90-FBGA (8x13)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tray
  • Iepakojums / lieta
    90-VFBGA
  • Citi vārdi
    1450-1121
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 85°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    512Mb (16M x 32)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Pulksteņa biežums
    200MHz
  • Piekļuves laiks
    5ns

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “AS4C16M32MD1-5BIN” saistītie produkti.
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Apraksts: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Apraksts: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Apraksts: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Apraksts: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.