Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > AS4C128M8D1-6TIN
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1240642AS4C128M8D1-6TIN attēlsAlliance Memory, Inc.

AS4C128M8D1-6TIN

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$44.84
10+
$41.58
25+
$40.11
50+
$39.113
108+
$34.256
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    AS4C128M8D1-6TIN
  • Ražotājs / zīmols
    Alliance Memory, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    AS4C128M8D1-6TIN.pdf
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    15ns
  • Spriegums - piegāde
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM - DDR
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    66-TSOP II
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tray
  • Iepakojums / lieta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Citi vārdi
    1450-1392
    AS4C128M8D1-6TIN-ND
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    1Gb (128M x 8)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Pulksteņa biežums
    166MHz
  • Piekļuves laiks
    700ps

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “AS4C128M8D1-6TIN” saistītie produkti.
AS4C128M32MD2-18BCNTR

AS4C128M32MD2-18BCNTR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D2-25BCNTR

AS4C128M8D2-25BCNTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D1-6TINTR

AS4C128M8D1-6TINTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D2-25BCN

AS4C128M8D2-25BCN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D2A-25BCN

AS4C128M8D2A-25BCN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M16MD2A-25BCNTR

AS4C128M16MD2A-25BCNTR

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D2-25BIN

AS4C128M8D2-25BIN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M32MD2A-18BINTR

AS4C128M32MD2A-18BINTR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D2A-25BIN

AS4C128M8D2A-25BIN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M32MD2A-18BIN

AS4C128M32MD2A-18BIN

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D2-25BINTR

AS4C128M8D2-25BINTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D3-12BAN

AS4C128M8D3-12BAN

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D2A-25BCNTR

AS4C128M8D2A-25BCNTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M32MD2A-25BINTR

AS4C128M32MD2A-25BINTR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M32MD2-18BCN

AS4C128M32MD2-18BCN

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M16MD2A-25BCN

AS4C128M16MD2A-25BCN

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M32MD2-18BINTR

AS4C128M32MD2-18BINTR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M32MD2-18BIN

AS4C128M32MD2-18BIN

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M8D2A-25BINTR

AS4C128M8D2A-25BINTR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
AS4C128M32MD2A-25BIN

AS4C128M32MD2A-25BIN

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Ražotāji: Alliance Memory, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.